超ＬＳＩの設計と製造の基礎を，多くのイラストを用いて，平易に講義する。
　これまで『電子回路』で得た回路設計に関する基礎知識と『半導体工学，集積回路』で得た製造プロセスに関する基礎知識を融合する。
　それらにより，より高集積で高度な半導体集積回路技術の修得の基礎固めをねらいとする。

　○デバイス製造のためのプロセスについて説明できる。
　○熱酸化・拡散過程を，図を用いて説明できる。
　○LSI設計におけるプロセスと設計との関係について説明できる。
　○デザインルールについて説明できる。
　○ＣＭＯＳ技術の概要を，図を用いて説明できる。

　半導体プロセス，フォトリソグラフィ，熱酸化，薄膜堆積，エッチング，拡散，イオン注入，LSI設計，デザインルール，ＣＭＯＳ技術

　電子回路，半導体工学，集積回路を基礎とする講義である。

　図面はプリントで見せ，説明は板書する形式で講義を進める。頭だけでなく体全体で繰り返し学ぶことを基本とする。
　このため，講義中のノートとり，家でのレポート作成を課す。

　１　　　イントロダクション；半導体デバイス　履修にあたっての留意点，出席票の配付と使い方の説明，
　　自主的・継続的な学習の仕方，電気の基礎の復習
　２－７　プロセス各論　(p1--38)　フォトリソグラフィ，酸化，堆積，エッチング，拡散，イオン注入
　８－10　プロセスと設計の関係　(p 39－ 60　の一部)
　11－14　ＣＭＯＳ技術　　　　(p 167－196　の一部)　　15　　　期末試験とまとめ

　出席票で出席を取り,さらに,個別の質問も受け付ける。受講中は板書を写し，後日ノートを提出する。

　予習としては，講義の前にテキストを読んでくる習慣を付けてほしい。
　復習としては，レポートを課すので提出してほしい。

　期末テスト(筆記試験)で70点，レポート点で30点，合計100点である。単位認定は60点以上である。
　レポート点は，レポート，授業ごとのミニレポートの結果を30点に換算し，評価する。
　ただし，10回以上講義に出席したもののみ受験を許可する。

　科目の達成目標に記載の項目について試験を行い，上記の基準を満足したものを合格とする。

　★Ｗ．マリ著，小田俊理訳，「図説超ＬＳＩ工学」，啓学出版，1990（絶版）（コピー用プリント貸出）
　★参考書としては，以下のものを用意してあることが望ましい。
　　 石田哲郎・清水東 著，「改訂 半導体素子」　　コロナ社，3,024 円(2016)
　　 坂本康正 著，　 「基礎から学ぶ電子回路」　　共立出版，3,360 円(2016)
　 　藤井信生 著，　 「アナログ電子回路－集積回路化時代の－」　昭晃堂，　2,916 円(2016)

　履修に当たっては，物性系の『電子物性I・II，電気電子材料，半導体工学，集積回路』，
　回路系の『電子回路，アナログ回路，ディジタル回路』等を履修していることが望ましい。

　場所は，8号館8-112号室。時間は，初回の授業で指定する。